【摘要】：通常可将其简称为晶体管或三极管。在放大电路中，晶体管必须保证发射结正偏，集电结反偏。场效应管就是一种单极型三极管。场效应管属于电压控制电流器件。本章首先介绍各类场效应管的结构、工作原理、特性曲线及主要参数，然后介绍场效应管放大电路与各种放大器件电路性能的比较。
场效应管及其放大器_模拟电子技术
半导体三极管按参与导电的载流子的种类可分为单极型三极管和双极型三极管。
双极型三极管参与导电的是两种极性的载流子：自由电子和空穴。通常可将其简称为晶体管或三极管。在放大电路中，晶体管必须保证发射结正偏，集电结反偏。由于发射结正偏，因此基极输入端存在输入电流，改变输入电流就可改变输出电流，所以晶体管是电流控制电流器件。并且由于发射结正偏，晶体管的输入阻抗并不高。而单极型三极管仅依靠一种极性的载流子参与导电：自由电子或空穴。一般是半导体中的多数载流子参与导电。场效应管就是一种单极型三极管。场效应管（Field Effect Transistor， FET）是通过改变输入电压（即利用输入回路的电场效应）来控制输出回路电流的一种半导体器件，因此而得名。场效应管属于电压控制电流器件。
场效应管的输入阻抗非常高，可达107～1012 Ω，它具有不吸收信号源电流，不消耗信号源功率的优点，除此之外，还具有温度稳定性好，抗辐射能力强，噪声低，制造工艺简单，寿命长，便于集成等特点，从20世纪60年代诞生起就广泛应用于各种电子电路中。
场效应管根据其结构的不同可分为结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，JFET）和绝缘栅型场效应管（Insulated Gate Field Effect TransistOr，IGFET）。本章首先介绍各类场效应管的结构、工作原理、特性曲线及主要参数，然后介绍场效应管放大电路与各种放大器件电路性能的比较。
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