场效应管放大器的直流指标

场效应管的3个电极，栅极、源极和漏极与晶体管的3个电极，基极、发射极和集电极相对应，在组成放大电路时场效应管也有3种接法：共栅极放大器、共源极放大器、共漏极放大器。3种接法的电路如图11.3.1所示。

与晶体管放大器一样，要使电路正常放大，场效应管放大器要设置合适的静态工作点，即需要合适的栅极电压，以保证在信号的整个周期范围内场效应管均工作在恒流区。对场效应管放大器的分析也包括直流分析和交流分析。本节主要介绍直流工作状态下场效应管的直流指标的求法及两种不同的偏置电路。

图11.3.1　场效应管在电路中的3种接法

1.直流指标的求法

图11.3.2 N沟道增沟型MOS管构成的共源极放大器

画出图11.3.2电路的直流通路，如图11.3.3所示。

图11.3.3 N沟道增沟型MOS管共源极放大器的直流通路

对直流指标的求法有图解法和估算法两种。

1）图解法

图解法是在已知场效应管的输出特性曲线的条件下用作图的方法求其直流指标。分析步骤如下。

通常在实际电路中为了使信号源与放大器“共地”，也为了采用单电源供电并设置合适的栅极电压，电路中多采用下面介绍的自给偏压偏置电路和分压式偏置电路。

2.自给偏压偏置电路

图11.3.4 N沟道耗沟型场效应管组成的自给偏压偏置电路

图11.3.5 N沟道JFET自给偏压偏置电路

图11.3.6　自给偏压电路

图11.3.7　图解法分析例11.3.1

3.分压式偏置电路

分压式偏置电路适用于增沟型和耗沟型MOS管，以及结型场效应管。如图11.3.8所示为N沟道增沟型MOS管构成的共源极放大器。该电路依靠Rg1和Rg2对电源UDD分压来设置栅极偏压，故称为分压式偏置电路。为了不使分压电阻Rg1和Rg2对放大器的输入电阻影响过大，故通过Rgs与栅极相连，电路中的Rgs可达几兆欧，从而可以增大输入电阻。下面对该电路进行分析。

图11.3.8　分压式偏置电路

图11.3.9　分压式偏置电路