【摘要】：Galiana等［29］阐述了和三维模型相比，采用经典一维模型设计金属栅线出现的错误。虽然上述结果对应于受到均匀光照的单结电池，不过该模型也适合于分析非均匀光照下的多结电池［29］。GaAs单结太阳电池的理论I—V曲线如图5.6所示。在这两种光照情况下，还使用了两种不同质量的前表面接触，就是所谓的“良好”与“中等质量”。非均匀光照产生的效应与电池有效串联电阻的增加所产生的效应相同。
图5.4 含有主要单体的单结太阳电池的准三维模型(来自参考文献［28］)
这个三维模型对于设计最优化的前表面金属栅线是非常有用的，可以使之和相应的技术相适应。Galiana等［29］阐述了和三维模型相比，采用经典一维模型设计金属栅线出现的错误。虽然上述结果对应于受到均匀光照的单结电池，不过该模型也适合于分析非均匀光照下的多结电池［29］。我们研究所正在针对以上两种情况开发新的模型。
以下是我们开发得到的第一项结果。GaAs单结太阳电池的理论I—V曲线如图5.6所示。此电池在两种光照下(1 000个太阳的均匀光照和非均匀光照，非均匀光照即主栅线处是0，线性增加直至在电池中心处达到4 000个太阳的光照)，因此，电池上的平均辐照度为1 000个太阳。在这两种光照情况下，还使用了两种不同质量的前表面接触，就是所谓的“良好”与“中等质量”。在所有情况下，半导体的结构和形状以及前表面金属栅线的遮光是相同的。
如图5.6所示，非均匀光照会导致填充因子下降，同时导致开路电压略有下降。非均匀光照产生的效应与电池有效串联电阻的增加所产生的效应相同。因此前表面金属接触得越差，填充因子和开路电压下降得就会越多。
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