【摘要】：GaSb和InAs电池在1 800 K和1 200 K下的光响应区域分别用不同的阴影区域表示在TPV系统中，稀土氧化物陶瓷是常用的具有一定选择性波谱［39－42］的材料。然而，兼顾高温带下发射器的机械稳定性，这意味着整个结构将变得更加复杂。获得选择性发射器最简单的方法是使用难熔金属，如钨，其发射率在可见光和近红外光区高达0.45～0.47，在红外光区，降至0.1～0.2［43］。该发射器可以做成一个具有密封底部的圆筒。
图9.5 在1 200 K和1 800 K下的黑体热辐射光谱，并给出了一些材料的能带。GaSb和InAs电池在1 800 K和1 200 K下的光响应区域分别用不同的阴影区域表示
在TPV系统中，稀土氧化物陶瓷(Y、Yb、Er等，铝石榴石)是常用的具有一定选择性波谱［39－42］的材料。值得注意的是，这些材料对于近黑体吸收剂的辐射几乎无吸收，然而，应用了厚而多孔的稀土AG(俗称饵石榴石)层之后，SiC(其发射率在0.9以上)的基底辐射可以被有效地反射，从而可以得到具有高选择性的发射器［40］。同时，在吸收器和发射器之间可以插入一个缓冲层。这时，缓冲层(可以假设成一个金属膜)将吸收或反射黑色吸收器的辐射并以低得多的发射率重新发射。然而，兼顾高温带下发射器的机械稳定性，这意味着整个结构将变得更加复杂。获得选择性发射器最简单的方法是使用难熔金属，如钨，其发射率在可见光和近红外光区高达0.45～0.47，在红外光区，降至0.1～0.2［43］。该发射器可以做成一个具有密封底部的圆筒。这样，它可以被看做是一个空腔，它的效率可以通过解以下迭代方程来计算［44～47］:
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