【摘要】：三结太阳电池的理论效率绘于图10.5中。其中GaInP/GaInAs/Ge三结电池的效率显示在此图的右侧。在含有带隙为1.41 eV的GaInAs子电池2的晶格匹配的情况下，顶电池最佳的带隙为1.9 eV。对于采用带隙为1.0 eV的子电池3的情况而言，其理论效率为53%，对应于图10.3所示的电池结构。有趣的是，当中间子电池2的带隙降至1.17 eV时，子电池3的最佳带隙就变为0.69 eV，这与Ge的带隙非常吻合，其理论效率超过了55%。
图10.4 五结和六结太阳电池的横截面
三结太阳电池的理论效率绘于图10.5中。其中GaInP/GaInAs/Ge三结电池的效率显示在此图的右侧。在含有带隙为1.41 eV的GaInAs子电池2的晶格匹配的情况下，顶电池最佳的带隙为1.9 eV。当子电池2的带隙降低，比如MMGaInAs电池，顶电池的最佳Eg也随之改变，即当子电池2的带隙为1.17 eV时，顶电池的最佳Eg为1.74 eV，此时电池的理论效率为55%。
当子电池2的带隙为1.4 eV时，如果底电池由Ge子电池变为带隙为1.0 eV的底电池，那么就可以获得更高的电池效率，如图10.5中图所示。对于采用带隙为1.0 eV的子电池3的情况而言，其理论效率为53%，对应于图10.3所示的电池结构。有趣的是，当中间子电池2的带隙降至1.17 eV时，子电池3的最佳带隙就变为0.69 eV，这与Ge的带隙非常吻合，其理论效率超过了55%。
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