【摘要】：它是子电池1材料和子电池3材料的带隙的函数图10.6展示了在25℃、地面聚光光谱下的六结电池的理论效率。子电池2、4和6的带隙假定分别对应GaInP的1.8 eV、晶格失配的含1%In的GaInAs的1.14 eV和Ge基底的0.67 eV。对于带隙Eg为2.3 eV的最佳顶电池和带隙Eg为1.18 eV的最佳子电池5来说，采用GaInAs的晶格匹配结构的电池或者采用MM1.18 eV的GaInAs的变质结构的电池，其转换效率都有可能超过56%。对于很容易实现的1.9 eV或2.1 eV的子电池1带隙，其理论效率仍能分别高达53.2%和54.7%。
图10.5 仅由辐射复合限制的三结太阳电池的理论效率
它是子电池1材料(在顶部，如AlGaInp)和子电池3材料(在底部，如Ge，GaInNAs或者晶格失配的GaInAsP)的带隙的函数
图10.6展示了在25℃、地面聚光光谱下的六结电池的理论效率。子电池2、4和6的带隙假定分别对应GaInP的1.8 eV、晶格失配的含1%In的GaInAs的1.14 eV和Ge基底的0.67 eV。完全灵活的带隙组合可能会产生更高的效率。对于带隙Eg为2.3 eV的最佳顶电池和带隙Eg为1.18 eV的最佳子电池5来说，采用GaInAs的晶格匹配结构的电池或者采用MM1.18 eV的GaInAs的变质结构的电池，其转换效率都有可能超过56%。对于很容易实现的1.9 eV或2.1 eV的子电池1带隙，其理论效率仍能分别高达53.2%和54.7%。
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