【摘要】：根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型和耗尽型。所谓增强型是指：当栅源电压VGS=0时晶体管呈截止状态，加上正确的栅源电压后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，把电源的能量转换成信号的能量，如图1-14所示为场效应晶体管的照片。
七、绝缘栅场效应晶体管
金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管，结构如图1-13所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型和耗尽型。所谓增强型是指：当栅源电压VGS=0时晶体管呈截止状态，加上正确的栅源电压后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使晶体管转向截止。三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，把电源的能量转换成信号的能量，如图1-14所示为场效应晶体管的照片。
图1-13 MOS场效应晶体管结构
图1-14 场效应晶体管照片
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