【摘要】：在场效应管中，参与导电的多数载流子仅为电子（N沟道）或空穴（P沟道）一种，在场作用下的漂移运动形成电流，故也称为单极型晶体管。故要注意栅极保护，应用时不得让栅极“悬空”，储存时应将场效应管的3个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内，焊接时电烙铁外壳应接地，或断开电烙铁电源，利用其余热进行焊接，以防止因电烙铁的微小漏电而损坏场效应管。
4.1.2 场效应管的特点与作用
场效应管也属于由PN结组成的半导体器件，除了具有体积小、可靠性好的特点外，还有如下特点。
①电场控制型。其工作原理类似于电子管，它是通过电场作用控制半导体中的多数载流子运动，以达到控制其导电能力，故称之为“场效应”。
②单极型导电方式。在场效应管中，参与导电的多数载流子仅为电子（N沟道）或空穴（P沟道）一种，在场作用下的漂移运动形成电流，故也称为单极型晶体管。而不像晶体管，参与导电的同时有电子与空穴的扩散和复合运动，属于双极型晶体管。
③输入阻抗很高。场效应管输入端的PN结为反向偏置（结型场效应管）或绝缘层隔离（MOS场效应管），因此其输入阻抗远远超过半导体晶体三极管。通常，结型场效应管的输入阻抗为107～1010Ω，尤其是绝缘栅的场效应管，输入阻抗可达1012～1013Ω，而普通晶体三极管的输入阻抗仅为1kΩ左右。
④抗辐射能力强。它比晶体三极管的抗辐射能力强千倍以上，所以场效应管能在核辐射和宇宙射线下正常工作。
⑤噪声低、热稳定性好。
⑥便于集成。场效应管在集成电路中占有的体积比晶体三极管小，制造简单，特别适用于大规模集成电路。
⑦容易产生静电击穿损坏。由于输入阻抗相当高，当带电荷物体一旦靠近金属栅极时，很容易造成栅极静电击穿，特别是MOSFET，其绝缘层很薄，更易击穿损坏。故要注意栅极保护，应用时不得让栅极“悬空”，储存时应将场效应管的3个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内，焊接时电烙铁外壳应接地，或断开电烙铁电源，利用其余热进行焊接，以防止因电烙铁的微小漏电而损坏场效应管。
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