【摘要】：本文所研究的CdSSe半导体量子点样品是采用高温熔融及两步退火法制备的。实验在一个大气压下进行，为了避免炉温分布不均匀对量子点生长造成影响，所有玻璃放在炉中同一位置。升温到620℃退火，量子点通过离子扩散开始生长。因此控制退火时间可很好地控制量子点的尺寸。从外观看，玻璃颜色随着退火时间的增加由浅黄色逐渐变为深红色，半导体量子点吸收边发生红移，表明了量子点中电子态的量子受限效应[4]。
1 CdSSe半导体纳晶的制备
本文所研究的CdSSe半导体量子点样品是采用高温熔融及两步退火法制备的。首先，将掺有半导体材料CdS，CdSe，Se的硅酸盐玻璃在1100℃左右熔融，形成平衡的固溶体，保持一定的时间后，骤然降温到400℃，然后缓慢退火至室温，这时形成含有过饱和离子Cd，S，Se的透明玻璃。将玻璃切成薄片后，置于温度误差±5℃的马福炉中进行两步退火热处理，用不同的退火时间控制量子点的尺寸。实验在一个大气压下进行，为了避免炉温分布不均匀对量子点生长造成影响，所有玻璃放在炉中同一位置。
两步退火法制备过程如下：（1）所有玻璃在485℃退火5h，使一定数目的半导体晶核均匀形成。（2）升温到620℃退火，量子点通过离子扩散开始生长。这时分别将玻璃片退火2，4，8，16和24 h，获得一系列不同退火时间的样品。
在退火温度不变的情况下，退火时间越长，量子点的平均尺寸越大。因为这时晶核的数目不变，而随着退火时间增加，晶核通过离子扩散不断生长。因此控制退火时间可很好地控制量子点的尺寸。从外观看，玻璃颜色随着退火时间的增加由浅黄色逐渐变为深红色，半导体量子点吸收边发生红移，表明了量子点中电子态的量子受限效应[4]。
将实验制备的样品磨抛到厚度为200～300μm后，用作室温吸收光谱和电调制吸收谱的测量。
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