【摘要】：绝缘栅双极型晶体管IGBT是由BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。在MOSFET基础上增加了一个P+,相当于一个有MOSFET驱动的厚基区双极型晶体管,可以认为IGBT是以双极型晶体管为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构器件,如图6-57所示。IGBT集GTR、MOSFET的优点于一体,既具有输入阻抗高、电压型控制、饱和压降低、通断速度快、开关损耗小、热稳定性能好、驱动电路简单等长处,又具有耐高压、承受电流大的优点,比GTR、MOSFET有更广泛的应用空间。
十四、绝缘栅双极型晶体管IGBT的应用线路
绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。在MOSFET基础上增加了一个P+,相当于一个有MOSFET驱动的厚基区双极型晶体管,可以认为IGBT是以双极型晶体管为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构器件,如图6-57所示。
图6-57 IGBT结构示意
IGBT集GTR、MOSFET的优点于一体,既具有输入阻抗高、电压型控制、饱和压降低、通断速度快、开关损耗小、热稳定性能好、驱动电路简单等长处,又具有耐高压、承受电流大的优点,比GTR、MOSFET有更广泛的应用空间。图6-58为IGBT实现交—直—交变频器的原理电路。
图6-58 交—直—交变频器原理电路
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