【摘要】：若气体压力高，则形成膜的膜质疏松，缺陷多。随着氩压力的升高，钛、钽、铬、镍、钼等金属膜的反射率急剧下降，相对应地，薄膜的体电阻率急剧升高。ITO的导电能力和ITO膜的晶体结构的完整性相关，晶体结构缺陷越少，载流子的迁移率越高，同时载流子密度越低。综合考虑载流子的密度和迁移率，制备优良的ITO膜控制氧流量的分压是非常重要的。
5.5.2 成膜气体压力的确定
以氩气为例，若其压力低，则相对形成膜的微观结构紧密，缺陷少。若气体压力高，则形成膜的膜质疏松，缺陷多。但是氩的压力过低，单位体积内分子数太少，电子在运动过程中解离氩分子的几率也小，相应的等离子体密度也小。压力过高，单位体积内分子数过多，电子的平均自由程缩短，在电场中不能获得足够的能量来离化氩分子，同样也不能产生高密度的等离子体。随着氩压力的升高，钛、钽、铬、镍、钼等金属膜的反射率急剧下降，相对应地，薄膜的体电阻率急剧升高。因此，确定合适的氩压力是得到优质金属膜的重要条件。
ITO的导电能力和ITO膜的晶体结构的完整性相关，晶体结构缺陷越少，载流子的迁移率越高，同时载流子密度越低。综合考虑载流子的密度和迁移率，制备优良的ITO膜控制氧流量的分压是非常重要的。因此，要通过实验找到合适的氧流量的控制点，得到最佳的比阻抗。
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