【摘要】：TFT工艺的本质就是采用各种薄膜通过图形加工构建场效应晶体管。在TFT制备中一共有4层非金属膜需要采用化学气相沉积工艺完成，如图6.1所示，它们是金属栅极的绝缘层、非晶硅层、n＋非晶硅层和最后的保护层。这些非金属膜的质量直接确定了TFT的电学性能，这些非金属膜的制作是TFT工艺技术的核心。下面从TFT阵列工艺中的非金属膜成膜原理、CVD材料、设备、工艺、作业安全及异常处置等方面，简单介绍TFT阵列制作中的非金属成膜技术。
第六章 CVD成膜（非金属膜）
TFT工艺的本质就是采用各种薄膜通过图形加工构建场效应晶体管。第五章介绍了金属膜的制备工艺，本章介绍构成晶体管的核心材料——非晶硅膜（通常称作有缘层）及其相关非金属膜的制备工艺。
在TFT制备中一共有4层非金属膜需要采用化学气相沉积工艺完成，如图6.1所示，它们是金属栅极的绝缘层（SiNx，SiO2）、非晶硅层（a-Si）、n＋非晶硅层（n＋a-Si）和最后的保护层（SiNx，SiO2）。这些非金属膜的质量直接确定了TFT的电学性能，这些非金属膜的制作是TFT工艺技术的核心。
CVD涉及的主要设备和材料包括：
常压化学气相沉积（atmospheric pressure chemical vapor deposition，APCVD）；
低压化学气相沉积（low pressure chemical vapor deposition，LPCVD）；
等离子增强化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD）；
工艺气体硅烷（SiH4）、磷烷（PH3）、氨气（NH3）、笑气（N2O）、氮气（N2）、氢气（H2）。
图6.1 TFT结构中非金属膜的位置和结构
下面从TFT阵列工艺中的非金属膜成膜原理、CVD材料、设备、工艺、作业安全及异常处置等方面，简单介绍TFT阵列制作中的非金属成膜技术。
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