【摘要】：在4次光刻的TFT工艺中，完成3层CVD后，见图9.16，并不立即进行硅岛的制作，而是继续溅射源/漏电极材料铬，见图9.16，然后进行光刻胶的涂敷。该技术就是使用线幅与曝光装置分辨率相接近的狭缝取代传统镂空的透光部分，这样狭缝部的光线就发生衍射，透过光的光强比正常透光部位的要少，这个部位的光刻胶就不会完全感光，这样在显影时这部分光刻胶就被保留下来一部分，为以后漏源电极刻蚀和沟道刻蚀留下基础。
9.4 硅岛刻蚀工艺
图9.16 硅岛刻蚀示意
在4次光刻的TFT工艺中，完成3层CVD后，见图9.16（a），并不立即进行硅岛的制作，而是继续溅射源/漏电极材料铬，见图9.16（b），然后进行光刻胶的涂敷。使用GTM技术进行曝光，见图9.16（c）。该技术就是使用线幅与曝光装置分辨率相接近的狭缝取代传统镂空的透光部分，这样狭缝部的光线就发生衍射，透过光的光强比正常透光部位的要少，这个部位的光刻胶就不会完全感光，这样在显影时这部分光刻胶就被保留下来一部分，为以后漏源电极刻蚀和沟道刻蚀留下基础。显影后先进行湿刻，将铬膜刻出硅岛的形状，见图9.16（d），然后进行硅岛的刻蚀，见图9.16（e）。
硅岛刻蚀采用RIE刻蚀模式，要求有较快的刻蚀速率、良好的刻蚀均一性和比较高的a-Si/SiNx刻蚀选择比，防止由于硅岛的刻蚀造成栅极绝缘膜氮化硅层的过刻蚀。
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