硅岛刻蚀工艺规范

9.4.1　硅岛刻蚀工艺规范

1.硅岛刻蚀相关工艺文件

与硅岛刻蚀相关的工艺文件主要有《I-DE条件指定表》、《I-DE装置规格书》、《灰尘检查装置操作规格书》、《段差计操作规格书》、《ARRAY TN 4MASK保管规格书》等。

条件指定表主要设定工艺条件。例如批量，生产的技术细节、灰尘检查（particle check）的技术细节、硅岛蚀速率测试的技术细节（ID-DE刻蚀测定用的），硅岛刻蚀实验的技术细节，工艺条件的日常点检等。参见表9.5～表9.8。

表9.5　制品技术细节

表9.6　灰尘检查技术细节

表9.7　硅岛刻蚀检查技术细节

表9.8　光刻胶刻蚀检查技术细节

硅岛刻蚀装置规格书的主要内容包括相关装置的规格书，如使用设备的技术要求、材料（半成品、部材、辅助材料等）的要求、设备的操作方法、硅岛刻蚀作业的准备工作、硅岛刻蚀处理基本操作、发生警报时处理方法、调整（seasoning）与刻蚀速率测定、灰尘检查的操作程序、工艺条件的确认程序、量产硅岛段差超出规格的处置方法、长期连休前后产品的处理办法、停电/瞬时电压低下时产品的处理程序、作业安全以及注意事项、长期连休时设备的停机方法、长期连休时设备的开机方法等。

2.硅岛刻蚀装置

硅岛刻蚀装置各腔室的功能示意如图9.17所示。大气机器人负责从载物箱和装卸腔（load lock，L/L）之间的基板搬运。装卸腔实现系统在大气压和真空两种状态之间的切换，交换腔（transfer chamber，T/C）负责L/L和P/C之间的搬送，防止不纯物进入工艺腔（process chamber，P/C），防止P/C内的特气外泄。等离子体的物理、化学反应是在真空的工艺腔中完成的。

图9.17　干刻装置各腔室的功能示意

3.硅岛刻蚀材料（半成品、部材、辅材）

硅岛刻蚀的对象是将漏源电极的铬膜刻出硅岛的形状以后的半成品TFT基板。使用的工艺气体主要是四氟化碳、六氟化硫、氯化氢和氦气、动力气体氧气、氮气和高压空气，其他的辅助材料如无尘手套、工业乙醇和无尘布等。

4.操作方法

实际操作是在Online模式下进行的。严格按照工艺规程执行。注意操作软件设定状态确认。按下装置控制台处按钮，绿灯亮起，表明装置处于可操作状态。