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刻蚀速率的测定

时间:2024-10-19 百科知识 版权反馈
【摘要】:非晶硅的刻蚀速率标准要控制在2 000~2 400~2 800·min-1。每3天对光刻胶的刻蚀速率作一次测定,定期进行检查。光刻胶的刻蚀速率控制在5 300~6 000~6 700·min-1。Lot分割后自动产生子Lot号,再将其品名更改为子Lot的品名。首先建立检查光刻胶刻蚀工艺中光刻胶膜的刻蚀速率用的实验Lot专用玻璃基板,这种实验基板最多只能循环使用20次。如果重新测定结果仍不合格或外观上能明显看出没有刻蚀效果的情况,则应立刻联系技术人员。

9.4.4 刻蚀速率的测定

由于清扫或故障等原因工作舱被打开过,在重新量产前,要先进行调整作业再实施刻蚀速率测定作业。

每2周要对非晶硅的刻蚀速率作一次测定,定期进行检查。非晶硅的刻蚀速率标准要控制在2 000~2 400~2 800img473·min-1。每3天对光刻胶的刻蚀速率作一次测定,定期进行检查。光刻胶的刻蚀速率控制在5 300~6 000~6 700img474·min-1。面内不均性要小于±15%。

1.非晶硅膜的刻蚀速率测定方法

首先建立检查硅岛刻蚀工艺中非晶硅膜的刻蚀速率用的实验Lot专用玻璃基板,这种实验基板最多只能循环使用20次。将专用Lot的基板移入空的载物箱进行Lot分割,如果是3个工作舱,则抽出3片基板放到空载物箱的第18、第19、第20槽;如果是2个工作舱,则抽出2片基板放到空载物箱的第19、第20槽。Lot分割后自动产生子Lot号,再将其品名更改为子Lot的品名。

将子Lot在I/PR-DE装置上进行Online刻蚀处理。刻蚀结束后进行剥离,然后进行段差测定。

2.光刻胶膜的刻蚀速率测定方法

首先建立检查光刻胶刻蚀工艺中光刻胶膜的刻蚀速率用的实验Lot专用玻璃基板,这种实验基板最多只能循环使用20次。将专用Lot的基板移入空的载物箱进行Lot分割,如果是3个工作舱,则抽出3片基板放到空载物箱的第18、第19、第20槽;如果是2个工作舱,则抽出2片基板放到空载物箱的第19、第20槽。Lot分割后自动产生子lot号,再将其品名更改为子Lot的品名。

将子Lot在I/PR-DE装置上进行Online刻蚀处理。然后进行段差测定。计算出刻蚀量。刻蚀量=DE前测定值-DE后测定值。3.刻蚀速率、均一性计算方法

光刻胶刻蚀速率(img475·min-1)=测定结果的平均值×2.0/3.0,(9.2)

如果测量结果不合格,则应停止批量产品的处理,调整后再重新进行刻蚀速率的测定。如果重新测定结果仍不合格或外观上能明显看出没有刻蚀效果的情况,则应立刻联系技术人员。

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