11.7 超精细宽视角型液晶显示器TFT缺陷图谱及解析
图11.51所示是漏极半片状缺陷，主要发生在D-DE工艺的干刻装置中，显示检查为明点连接。产生的原因是干刻装置中干刻前有异物附着，造成图案刻蚀不全，形成缺陷。
图11.52所示是一种CVD成膜异物形成的缺陷。在CVD成膜前或成膜中，异物附着，在D工艺后异物被洗掉，造成断线，或是由于CVD异物的存在造成漏极湿刻时刻蚀液渗透，部分图案被刻蚀形成断线，由于显示检查时只表现为暗点而不是线缺陷，因此判断漏极下的ITO还存在，从而后一种可能性更大。主要发生在I-CVD，CVD装置。SFT是常黑模式，所以明点出现的情况不多，以与栅极短路居多。
图11.51 D-半片状模式
图11.52 CVD成膜异物
图11.53所示是因为在Inline光刻胶装置中，光刻胶涂敷前异物附着，造成硅岛图案破坏，相邻的4个像素短路，造成显示检查时黑点连续的缺陷。主要发生在I-光刻胶、Inline-光刻胶装置中。显示检查为黑点连接。
图11.53 I-圆状模式1
图11.54 I-片状模式2
图11.55 I-片状模式3
图11.54所示是在Inline光刻胶装置中，光刻胶涂敷后异物附着，造成非晶硅残留，导致相邻像素短路的缺陷，在显示检查时为暗点。主要发生在I-光刻胶、Inline光刻胶装置中。显示检查为黑点连接。
图11.55所示是因为在Inline光刻胶装置中，光刻胶涂敷后异物附着，造成非晶硅残留，导致相邻像素短路形成的缺陷，在显示检查时表现为暗点。主要发生在I-光刻胶、Inline光刻胶装置。显示检查为黑点连续。
图11.56所示是因为在Inline光刻胶装置中，光刻胶涂敷后异物附着，造成ITO残留，导致相邻像素短路形成的缺陷。这种缺陷原则上是可以修复的，但是修复过程中，由于切断的显示区域面积过大，因此是人为缺陷。这种缺陷主要发生在像素-光刻胶、Inline光刻胶装置。显示检查为黑点连续。
图11.56 像素-片状模式
图11.57所示是在Inline光刻胶装置中，光刻胶涂敷前异物附着，造成像素图案破坏，ITO残留，导致相邻像素短路的缺陷。主要发生在像素-光刻胶、Inline光刻胶装置。显示检查为黑点连续。
图11.57 像素-圆状模式
图11.58所示是在Inline光刻胶装置中，光刻胶涂敷前异物附着，造成像素图案破坏，ITO残留，导致相邻像素短路的缺陷。主要发生在像素-光刻胶、Inline光刻胶装置。
图11.59所示是因CVD异物形成的缺陷。在CVD装置中，3层非晶硅成膜前异物附着，在D工艺后被洗去，由于异物的高度比较高，导致硅岛和漏极图形破坏，漏极和Com或两条漏极线之间短路，后者可能性更大。显示检查为漏极断路。
图11.60所示是漏源极溅射异物形成的缺陷。D-溅射前有异物附着，在D工艺后异物被洗去，造成异物上面的图案被破坏。主要发生在D-溅射、溅射装置。
SFT型的线缺陷产生的机制一般与TN型的相同。
图11.58 像素-圆状模式
图11.59 CVD异物
图11.60 D-溅射异物
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