电声器件型号命名方法

8．2．4　半导体分立器件

1）半导体分立器件的命名方法

（1）我国半导体分立器件的命名法

参见表8－12。

表8－12　国产半导体分立器件型号命名法

示例：

（2）国际电子联合会半导体器件命名法

参见表8－13。

表8－13　国际电子联合会半导体器件型号命名法

示例：

国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：

①这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。

②第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。

③第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。

④第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。

⑤第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h_FE或N_F）进行分挡。

⑥型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。

（3）美国半导体器件型号命名法

美国晶体管或其他半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法，如表8－14所示。

表8－14　美国电子工业协会半导体器件型号命名法

示例：

美国晶体管型号命名法的特点：

①型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。

②组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。

③除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N……开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其他国家制造的产品。

④第四部分数字只表示登记序号，而不含其他意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。

⑤不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。

⑥登记序号数大的通常是近期产品。

（4）日本半导体器件型号命名法

日本半导体分立器件（包括晶体管）或其他国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。

日本半导体分立器件的型号由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表8－15所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：

M—松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。

N—松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。

Z—松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。

H—日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。

K—日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。

T—日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。

G—东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。

S—三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。

第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分挡标志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数h_FE的分挡标志。

表8－15　日本半导体器件型号命名法

示例：

日本半导体器件型号命名法有如下特点：

①型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。

②第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。

③第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。

④第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。

⑤第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。

⑥日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。

⑦在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率f_T为100MHz，所以，它们也可当高频管用。

⑧日本通常把P_cm≥1W的管子，称做大功率管。

2）常用半导体二极管的主要参数

参见表8－16。

表8－16　部分半导体二极管的参数

（续表8－16）

3）常用整流桥的主要参数

参见表8－17。

表8－17几种单相桥式整流器的参数

4）常用稳压二极管的主要参数

参见表8－18。

表8－18部分稳压二极管的主要参数

5）常用半导体三极管的主要参数

（1）3AX51（3AX31）型PNP型锗低频小功率三极管

参见表8－19。

表8－19　3AX51（3AX31）型半导体三极管的参数

（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管

参见表8－20。

表8－20　3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数

（续表8－20）

（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管

参见表8－21。

表8－21　3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数

（4）3DG100（3DG6）型NPN型硅高频小功率三极管

参见表8－22。

表8－22　3DG100（3DG6）型NPN型硅高频小功率三极管的参数

（5）3DG130（3DG12）型NPN型硅高频小功率三极管

参见表8－23。

表8－23　3DG130（3DG12）型NPN型硅高频小功率三极管的参数

（续表8－23）

（6）9011～9018塑封硅三极管

参见表8－24。

表8－24　9011～9018塑封硅三极管的参数

6）常用场效应管主要参数

参见表8－25。

表8－25　常用场效应三极管主要参数