【摘要】：红外线发射管的结构、原理与普通发光二极管相近，只是使用的半导体材料不同。红外线发光二极管发射红外线控制相应的受控装置，其控制距离与发射功率成正比。为了在相同的耗散功率状态下，增加红外线的控制距离，红外线发光二极管通常工作于脉冲状态，因为脉冲红外的有效距离与脉冲的峰值电流成正比，只需尽量提高峰值脉冲电流，就能增加红外光的发射距离。
如图3.4所示为红外发射管的外形。红外线发射管的结构、原理与普通发光二极管相近，只是使用的半导体材料不同。红外发射二极管由红外辐射效率高的材料（常用砷化镓（GaAs）、砷铝化镓（GaAlAs）等材料）制成PN结，采用全透明或浅蓝色、黑色的树脂封装，外加正向偏压向PN结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长830～950nm，半峰带宽约40nm左右，它是窄带分布。其最大的优点是可以完全无红暴（在全黑环境下，肉眼看不到任何红光）或仅有微弱红暴（有细小微弱可忽略的可见红光）和寿命长。
红外线发光二极管工作在正向电压下，正常工作电压约为1.4V，工作电流一般小于20mA，为了适应电路不同的电压，红外发光二极管常和限流电阻串联使用。
红外线发光二极管发射红外线控制相应的受控装置，其控制距离与发射功率成正比。为了在相同的耗散功率状态下，增加红外线的控制距离，红外线发光二极管通常工作于脉冲状态，因为脉冲红外的有效距离与脉冲的峰值电流成正比，只需尽量提高峰值脉冲电流，就能增加红外光的发射距离。
图3.4 红外线发射二极管的外形
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