【摘要】：化合物半导体薄膜太阳能电池主要由铜铟硒和铜铟镓硒、锑化镉、砷化镓等制作而成，它们都是直接带隙材料，带隙宽度Eg在1～1．6eV之间，具有很好的大范围太阳光谱响应特性，所需材料只要几个微米厚就能吸收阳光的绝大部分，是制作薄膜太阳能电池的优选活性材料。CIS和CIGS电池由于廉价、高效、性能稳定和较强的抗辐射能力得到各国PV界的重视，成为最有前途的新一代太阳能电池，非常有希望在未来十年中进行大规模应用。
化合物半导体薄膜太阳能电池主要由铜铟硒（CIS）和铜铟镓硒（CIGS）、锑化镉（CdTe）、砷化镓（GaAs）等制作而成，它们都是直接带隙材料，带隙宽度Eg在1～1．6eV之间，具有很好的大范围太阳光谱响应特性，所需材料只要几个微米厚就能吸收阳光的绝大部分，是制作薄膜太阳能电池的优选活性材料。GaAs带隙宽度1．45eV，是非常理想的直接迁移型半导体PV材料，在GaAs单晶衬底上生长单结电池效率超过25%，但价格也高，主要用于太空科学领域。CIS和CIGS电池中所需CIS、CIGS薄膜厚度很小（约2μm），吸收率高达105/cm。CIS电池的带隙宽度Eg为1．04eV，是间接迁移型半导体，只要用Ga替代CIS材料中的部分In，形成Culn1－xGaxSe2（简称CIGS）四元化合物，即可提高效率，可实现将带隙宽度Eg调到1．5eV，因而CIGS电池效率高。CIS和CIGS电池由于廉价、高效、性能稳定和较强的抗辐射能力得到各国PV界的重视，成为最有前途的新一代太阳能电池，非常有希望在未来十年中进行大规模应用。缺点是Se、In都是稀有元素，大规模生产材料来源受到一定限制。CdTe电池的带隙Eg为1．5eV，光谱响应与太阳光谱十分吻合，性能稳定，光吸收系数极大，厚度为1μm的薄膜，足以吸收大于CdTe禁带能量的辐射能量的99%，是理想化合物半导体材料，理论效率为30%，是公认的高效廉价薄膜电池材料，一直被PV界看重。缺点是CdTe有毒，会对环境产生污染。因此CdTe电池用在空间等特殊环境。
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