【摘要】：悬浮区熔法简称FZ法，于20世纪50年代提出并很快应用到晶体制备技术中，即利用多晶锭分区熔化和结晶来生长单晶体的方法。在区熔法制备硅单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻硅单晶。区熔硅单晶由于在它的生产过程中不使用石英坩埚，氧含量和金属杂质含量都远小于直拉单晶硅，单晶的纯度高，因此它主要被用于制作电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器等。
悬浮区熔法（Float Zone Method）简称FZ法，于20世纪50年代提出并很快应用到晶体制备技术中，即利用多晶锭分区熔化和结晶来生长单晶体的方法。在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转。然后将在多晶棒与籽晶间只靠表面张力形成的熔区沿棒长逐步移动，将其转换成单晶。
区熔法可用于制备单晶和提纯材料，还可得到均匀的杂质分布。这种技术可用于生产纯度很高的半导体、金属、合金、无机和有机化合物晶体（纯度可达10－9～10－6）。在区熔法制备硅单晶中，往往是将区熔提纯与制备单晶结合在一起，能生长出质量较好的中高阻硅单晶。区熔硅单晶由于在它的生产过程中不使用石英坩埚，氧含量和金属杂质含量都远小于直拉单晶硅，单晶的纯度高，因此它主要被用于制作电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器等。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
