一、技能目标
(1)熟悉XJ4810型半导体管特性图示仪的面板装置及操作方法;
(2)掌握测试前对仪器的检查与校验;
(3)会使用XJ4810型半导体管特性图示仪测试三极管及场效应管的特性曲线。
二、工具和仪器
(1)XJ4810型半导体管特性图示仪一台。
(2)NPN型和PNP型三极管及场效应管各一只。
三、实训内容与步骤
按XJ4810型半导体管特性图示仪的操作规程进行操作前的检查,完成“辉度”和“聚集”的调节、“灵敏度”校准、阶梯调零等操作。
1.小功率三极管的测量(以9013型NPN管和9012型PNP管为例)
1)输入特性曲线的测试
将屏幕上光点移至左下角,对阶梯信号调零,图示面板上的有关开关、旋钮置于如下位置:
①“峰值电压范围”: 0~10V。
②“集电极电源极性”: +(9013型NPN管)
-(9012型PNP管)
③“功耗限制电阻”: 10Ω左右。
④Y—“电流/度”: 阶梯信号。
⑤X—“电压/度”开关: UBE0.1V度。
⑥阶梯“重复—关”: 重复。
⑦“阶梯极性”: +(9013型NPN管)
-(9012型PNP管)
⑧“电压-电流/级”: 20μA/级。
先将“级/簇”旋钮旋至适中位置,三极管按图7-18所示方式连接,逐渐增大峰值电压,屏幕上将显示出如图7-19所示的NPN型三极管输入特性曲线,图中,线段左端亮点连线为UCE=0时的输入特性曲线,右端亮点连线为UCE>0时的输入特性曲线。
图7-18 NPN型三极管的连接
图7-19 NPN型三极管输入特性曲线
2)输出特性曲线、转移特性曲线和β的测量
将屏幕上光点移至左下角,对阶梯信号调零,图示面板上的有关开关、旋钮置于如下位置:
①“峰值电压范围”: 0~10V。
②“集电极电源极性”: +(9013型NPN管)
-(9012型PNP管)
③“功耗限制电阻”: 500Ω。
④Y—“电流/度”: IC2m A/度。
⑤X—“电压/度”开关: UCE0.2V度。
⑥阶梯“重复—关”: 重复。
⑦“阶梯极性”: +(9013型NPN管)
-(9012型PNP管)
⑧“电压-电流/级”: 20μA/级
先将“级/簇”旋钮旋至适中位置,三极管仍按图7-18所示方式连接,逐渐增大峰值电压,屏幕上将显示出如图7-20所示的输出特性曲线,再调节“级/簇”旋钮改变屏幕上显示的输出特性曲线条数。
在输出特性曲线上选取ΔIC和ΔIB,则可计算出交流电流放大系数β=ΔIC/ΔIB。
β也可用三极管的转移特性进行测量,只要将上述的X轴作用开关拔到“基极电流或基极源电压”即得到三极管的电流放大曲线,如图7-21所示。这种曲线可直接观察β的线性好坏及计算出β=ΔIC/ΔIB的值。
将实验数据填入表7-5中。
表7-5 实验记录表
图7-20 三极管的输出特性曲线
图7-21 三极管的电流放大特性曲线
3)两管输出特性的比较
将“电压/度”改置为0.5V,其余各开关、旋钮仍按上述设置,将待比较的两只三极管按图7-22(a)所示连接,按下测试台上的“二簇”按键开关,则屏幕上将显示出两只被测管的输出特性曲线,如图7-22(b)所示,由该图即可实现对输出特性曲线的比较。
图7-22 两管输出特性测试连接和曲线图
4)晶体管击穿电压的测试
以NPN型3DK2晶体管为例,查手册得知3DK2BVCBO、BVCEO、BVEBO的测试条件IC分别为100μA、200μA和100μA。测试时,仪器部件的置位详见表7-6。
逐步调高“峰值电压”,被测管按图7-23(a)的接法,Y轴IC=0.1m A时,X轴的偏移量为BVCEO值; 被测管按图7-23(b)的接法,Y轴IC=0.2m A时,X轴的偏移量为BVCEO值; 被测管按图7-23(c)的接法,Y轴IC=0.1m A时,X轴的偏移量为BVEBO值。
表7-6 3DK2晶体管击穿电压测试时仪器部件的置位
图7-23 晶体管耐压测试连接图
测试曲线如图7-24所示。
图7-24 反向击穿电压曲线(NPN)
读数: BVCBO=70V(IC=100μA)
BVCEO=60V(IC=200μA)
BVEBO=7.8V(IC=100μA)
PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相似。其测试曲线如图7-25所示。
图7-25 反向击穿电压曲线(PNP)
2.场效应管的测量(以3DJ6G为例)
场效应管是一种电压控制器件,测量时,与上述三极管的不同之处在于,测试信号是阶梯电压而不是阶梯电流。
各种场效应管的符号及测量时所加的电压极性如表7-7所示。对场效应管各种参数的测量主要是通过转移特性和输出特性来进行,输出特性又称为漏极特性。
表7-7 场效应管的符号与电压极性
1)输出特性(漏极特性)的测量
图7-26 场效应管测试连接图
将屏幕上光点移至左下角,图示面板上的有关开关、旋钮置于如下位置:
①“峰值电压范围”: 0~50V。
②“集电极电源极性”: +。
③“功耗限制电阻”: 1kΩ。
④Y—“电流/度”: IC1m A/度。
⑤X—“电压/度”开关: UBE5V度。
⑥阶梯“重复—关”: 重复。
⑦“阶梯极性”: -。
⑧“电压-电流/级”: 1V/级。
⑨“串联电阻”: 0Ω。
场效应管按图7-26所示连接,逐渐增大峰值电压,屏幕上将显示出如图7-27所示的输出特性曲线,利用这一曲线可进行饱和漏电流IDSS参数的测量。
2)转移特性的测量
在测量输出特性曲线的基础上,调节水平移位旋钮,将光点移到屏幕的右上角,X—“电压/度”改置为“基极电流或基极源电压”,逐渐增大峰值电压,屏幕上将显示出如图7-28所示的转移特性曲线,利用这一曲线可进行饱和漏电流IDSS、夹断电压UP等参数的测量。
图7-27 场效应管的输出特性曲线
图7-28 场效应管的转移特性曲线
上述介绍了结型N沟道场效应管的测量方法,至于其他类型场效应管的测量,可参照表7-8及上述方法进行。
表7-8 数据记录表
应当指出,不论场效应管是结型还是绝缘栅型,测量时都应特别注意不能使漏源电压UDS、栅源电压UGS、耗散功率PDM及最大电流IDS超过额定值。此外,对绝缘栅型场效应管还应避免因感应电压过高而造成管子击穿,其方法是不使栅极悬空,即保证栅源极之间有直流通路。测量时可将“电压-电流/级”开关置于电压挡,若该开关置于电流挡,则应在栅极之间并接电阻。施加于结型场效应管的阶梯极性不能接反,否则PN结处于正偏,极易烧坏管子。
四、实验报告
(1)通过测量结果的分析及记录,直观感受各被测器件的特性曲线。
(2)结合半导体管特性图示仪的工作原理,分析实验过程中出现各种现象的原因。
(3)记录实验过程遇到的问题并进行分析,写出心得体会。
免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。