二、低温射频等离子术治疗鼾症和阻塞性睡眠呼吸暂停综合征
腭咽成形术是治疗打鼾和睡眠呼吸暂停综合征(obstructive sleeping apnea syndrome,OSAS)的有效方法之一。传统的手术常需要全身麻醉,手术复杂、创伤严重、风险较高。采用低温射频等离子术行悬雍垂(腭垂)、软腭成形术,扁桃体减容术治疗鼾症和轻、中度阻塞性睡眠呼吸暂停综合征,取得满意疗效。
低温射频等离子术是用于软组织微创手术的一项新技术,它利用双极射频所产生的能量,将射频头与组织之间的电解液转换成等离子体层。在电压梯度作用下,等离子体中的带电粒子得到加速,获得足够的能量,将组织细胞的分子键打开,使细胞裂解为简单的糖类(碳水化合物)和氧化物。由于带电粒子的作用范围有限,仅为100μm,而且是在相对较低的温度下实现的,所以对周边组织的热损伤降至最低程度。当所设置的能量值低于产生等离子体的阈值时,组织的电阻会导致热效应,产生止血或组织收缩作用。黏膜下组织消融是一种使黏膜下组织消融和减容同时不影响表层黏膜的疗法。根据其工作原理,可行悬雍垂、软腭整形和扁桃体减容治疗。该疗法可使被治疗的软组织与胶原组织收缩、容积缩小,顺应性降低。同时,能够对与消融区域相连的小血管产生止血效果。对组织的热效应低(45~70℃),对肌肉神经组织损伤小。每个黏膜下组织作用点的消融区约13mm长、5mm宽,整个手术时间短,仅为5~12分钟,从而减轻术后疼痛和出血,简化术后护理。患者恢复速度快,3~5天后不适感消失,4~6周后消融组织完全吸收,咽腔明显扩大,显著改善睡眠呼吸状况。该治疗患者容易接受,能在门诊进行,可分期或重复治疗。其操作便捷、微创、安全,具实用价值。
郭兮恒等应用低温射频等离子技术对12例单纯鼾症和47例阻塞性睡眠呼吸暂停患者局部麻醉下行悬雍垂、软腭成形术、扁桃体减容术治疗,其中13例单纯软腭肥厚低垂,6例单纯悬雍垂粗长,32例软腭肥厚低垂同时伴有悬雍垂粗长,8例合并有双侧扁桃体Ⅱ度或Ⅲ度肥大。手术前后均行多导睡眠图监测等检查。结果59名患者顺利接受全程治疗,平均每例治疗2.1次。术中、术后没有并发症发生。随诊4~8周,临床症状好转,打鼾明显降低,软腭游离缘提高5~8 mm,悬雍垂缩短50%以上,扁桃体组织缩小为I度。多导睡眠图检查显示:浅睡眠减少、深睡眠增加,醒觉次数减少。睡眠呼吸暂停患者平均呼吸暂停低通气指数(AHI)由18.1±7.3减少至6.9±5.4(P<0.02),平均最低血氧饱和度(SaO2)由82.1%±6.7%升高到86.7%±3.3%(P<0.05)。综合疗效评价:显效49例(占83.1%)、有效8例(占13.6%)。作者认为低温射频等离子术作为一项微创、安全的治疗方法,能够有效治疗鼾症和轻、中度阻塞性睡眠呼吸暂停综合征。严格选择手术适应证,多数患者可收到明显疗效。
射频腭咽成形术的手术方法:可在门诊治疗室进行。患者取坐位,0.9%氯化钠(生理盐水)漱口。2%利多卡因局部浸润麻醉软腭、悬雍垂和扁桃体组织,打开射频发生控制系统,连接Reflex55双极等离子射频头,调节工作能量刻度为5,将射频头蘸取0.9%氯化钠,对软腭和悬雍垂进行射频治疗。根据每名患者局部解剖情况取3~5个治疗点。软腭肥大者:取软腭中线旁1cm与硬腭下1cm焦点处,在启动发射能量的同时,将射频头分别沿两侧插入黏膜下组织1.5~1.8 cm,并持续10~12秒后拔除射频头;悬雍垂粗长者:取悬雍垂正中或两侧,沿悬雍垂根部或末端将射频头插入悬雍垂组织1.5~1.8 cm,持续治疗10~12秒;扁桃体肥大者,分别对每侧扁桃体取2个或3个治疗点(上极、中极和下极),射频头插入扁桃体组织1.5~1.8 cm,持续治疗10~15秒。术后口服抗生素预防感染。术后第一天睡眠时取半卧位,术后3天内避免过热和刺激性食物。必要时可口含冰块漱口,保持口腔清洁。
射频腭咽成形术适应证:非肥胖的单纯打鼾或轻、中度OSAS,低通气患者。狭窄部位在软腭水平,表现为悬雍垂粗长、软腭肥厚游离缘低垂,后气道直径大于10mm,或合并有扁桃体肥大者。也可用于鼻部疾病的治疗。严重的睡眠呼吸暂停患者往往治疗效果不理想,有严重全身性疾病者对治疗的耐受程度明显降低。个别患者必要时需在射频治疗前后经气道持续加压通气治疗。对于合并有舌体肥大、舌根后坠导致舌根水平的狭窄者,可考虑对舌根部进行射频治疗或配戴口腔矫正器。腭咽仰卧水平侧位吞钡像及上气道不同水平压力测定有助于判断狭窄部位。
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